FDMC8554_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

FDMC8554 MOS管選用N溝道結(jié)構(gòu)，搭配前沿DFN3X3-8L封裝，緊湊且高效。這款器件具有20V的工作電壓VDSS，可承載高達(dá)60A的連續(xù)電流ID，表現(xiàn)出卓越的電流傳送能力。其亮點(diǎn)在于極低的導(dǎo)通電阻僅4mR，有助于降低功耗，提高系統(tǒng)能效比。適用于高功率密度的電源轉(zhuǎn)換、大電流驅(qū)動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域，是您構(gòu)建高性能電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDMC8554_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢