NVTFS5C466NL_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NVTFS5C466NL 是一款N溝道MOSFET，采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝，適宜空間有限的設(shè)計(jì)需求。器件提供40V的漏源電壓(VDSS)，支持高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有低至6.9mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和低損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等多種場(chǎng)景，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NVTFS5C466NL_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢