SI7121ADN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

熱銷SI7121ADN-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用精巧DFN3X3-8L封裝工藝，以實現更高的集成密度和優異散熱效果。此款MOS管具備強大參數額定電壓VDSS為30V，可承受最大連續電流ID40A，并擁有超低導通電阻RD(on)僅為13mΩ，顯著增強系統能效表現。廣泛應用在高級電源管理、電機驅動控制等領域，是您優化電路設計、追求卓越性能的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7121ADN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/13.0mR 標價：歡迎咨詢