MDV3605URH_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

MDV3605URH P溝道MOSFET以其先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝形式展現(xiàn)，實現(xiàn)小尺寸與優(yōu)良散熱性能的完美結(jié)合。器件核心參數(shù)優(yōu)越支持高達(dá)30V的電壓額定值(VDSS)，連續(xù)通過電流高達(dá)40A，且具有出色的13mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了高效的電力傳輸和極低的能量損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等各種嚴(yán)苛環(huán)境下的高功率應(yīng)用，是提升系統(tǒng)效能和節(jié)能方案的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MDV3605URH_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢