SIS402DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIS402DN-T1-GE3 MOS管是一款采用小型化DFN3X3-8L封裝技術的高性能N溝道MOSFET。其關鍵特性包括30V的最大漏源電壓VDSS，以及強大的100A連續電流ID處理能力，充分滿足高功率應用需求。尤為突出的是其優異的導通電阻RD(on)，低至4mR，旨在最大程度地減小傳導損耗，提高整體系統效能，特別適用于開關電源轉換、電機驅動控制、電池管理系統等對效率與散熱有嚴格要求的場景，是您實現高效能電路設計的理想組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS402DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢