CSD17579Q3A_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

CSD17579Q3A N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高效空間利用而設(shè)計。該器件擁有30V的最大額定電壓（VDSS），并可承載強(qiáng)大的60A連續(xù)漏極電流，性能卓越。尤其突出的是其超低的導(dǎo)通電阻6mΩ（RD(on)），顯著減少功率損耗，提高整體工作效率。這款MOS管適用于各類高性能開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動及大電流控制場景，是工程師的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD17579Q3A_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢