NTTFS5C478NL_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTTFS5C478NL N溝道MOS管采用DFN3X3-8L小型封裝設(shè)計(jì)，具備優(yōu)秀的空間利用率和散熱效能。器件工作電壓VDSS高達(dá)40V，支持60A的連續(xù)漏極電流ID，尤其適用于大電流工況。其內(nèi)在優(yōu)勢在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為6.9mΩ，顯著降低系統(tǒng)功耗，提高整體能效比。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效、低損耗半導(dǎo)體解決方案的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

NTTFS5C478NL_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢