RTE002P02_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

RTE002P02 是一款采用精巧SOT-523封裝的P溝道MOS管，針對現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求設(shè)計(jì)。其工作電壓高達(dá)20V，可承受0.7A的連續(xù)電流，充分滿足各種低電壓應(yīng)用場合的需求。該器件擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻僅260mΩ，顯著減小功率損耗，提升整體效能。適用于電源切換、電池管理系統(tǒng)及其他需精細(xì)控制電流的領(lǐng)域，是您優(yōu)化設(shè)計(jì)、追求高效節(jié)能的優(yōu)質(zhì)選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RTE002P02_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢