SI1012X-T1-GE3_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI1012X-T1-GE3 是一款采用先進SOT-523封裝技術的高性能N溝道MOS管。器件具有強大而穩定的電氣性能，額定電壓VDSS高達20V，可持續提供0.8A的最大電流ID，同時擁有出色的導通電阻RD(on)低至100mR，確保高效低耗運行。這款MOS管廣泛應用于各類電源轉換、負載驅動、便攜設備以及智能硬件領域，憑借其卓越的性能和緊湊封裝，為用戶在設計過程中實現最佳的功率管理方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI1012X-T1-GE3_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢