SI1032R-T1-GE3_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/180.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI1032R-T1-GE3 是一款高端N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-523封裝設(shè)計，適用于空間有限的應(yīng)用場景。器件特點鮮明，具有20V的VDSS電壓，可承載0.8A連續(xù)電流ID，而其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻RD(on)低至180mR，確保了高效能和低功耗運行。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、消費電子等多種領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)性能、優(yōu)化能源利用的理想半導(dǎo)體器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI1032R-T1-GE3_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/180.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/180.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢