BSS816NW_SOT-323_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSS816NW 是一款高性能N溝道MOSFET，采用微小型SOT-323封裝，特別適合于高密度電路板設(shè)計(jì)。器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，并能提供穩(wěn)定的2A漏極電流(ID)，其優(yōu)勢在于49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減小了功耗，提升了系統(tǒng)能效比。廣泛應(yīng)用于便攜設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換、邏輯控制等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)小型化、節(jié)能電子產(chǎn)品的理想MOS管組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSS816NW_SOT-323_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢