Si2323DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2323DDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，專為緊湊型電子設(shè)計(jì)提供卓越性能。該器件特性鮮明具有20V的最大工作電壓VDSS，能穩(wěn)定處理5A的漏極電流；并且，其30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)設(shè)計(jì)大大減少了功率損失，提高了系統(tǒng)整體能效。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)等電路設(shè)計(jì)中，是您尋求高性能、節(jié)能方案的理想MOS管元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2323DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢