Si2323DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2323DS-T1-E3 是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊電子設計提供高集成度解決方案。該器件特性顯著具備20V的最大工作電壓VDSS，可安全承載5A的連續漏極電流；其低至30mΩ的導通電阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系統能效。適用于電源轉換、負載開關、電池保護等廣泛應用場景，是您追求節能與高性能的理想MOS管器件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2323DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢