Si2323DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2323DS-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代微小電子設備設計。主要參數包括最大工作電壓VDSS為20V，能穩定傳輸5A的漏極電流；導通電阻RD(on)僅為30mΩ，有效降低能耗，提高系統效能。廣泛應用在電源管理、負載開關、電池保護等多個領域，是您追求高集成度與節能效果的理想MOS管選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2323DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢