Si2308BDS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2308BDS-T1-E3 N溝道MOSFET采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子設(shè)計提供解決方案。此器件具備強大性能，工作電壓高達(dá)60V，連續(xù)輸出電流達(dá)3A，且擁有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻僅為72mΩ，顯著提升系統(tǒng)效率并降低能耗。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電機驅(qū)動等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域，以卓越的品質(zhì)與可靠的性能，助您的電路設(shè)計實現(xiàn)效能升級。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2308BDS-T1-E3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢