SQ2308CES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/3.0A 參數4：RDON/72.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SQ2308CES-T1_GE3 N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為現代電子設備的小型化設計打造。器件具備強大性能參數最大漏源電壓(VDSS)高達60V，持續電流(ID)高達3A，且導通電阻(RD(on))僅為72mΩ，確保在高負荷條件下仍能保持優異的能源效率和散熱性能。廣泛適用于電源轉換、電機驅動、負載開關等應用場景，以出色的效能和穩定性，為您提供電路設計的上乘之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQ2308CES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/3.0A 參數4：RDON/72.0mR 標價：歡迎咨詢

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