NTR5198NL_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTR5198NL N溝道MOSFET采用輕巧的SOT-23封裝形式，專注于高效集成與節(jié)省空間的設(shè)計方案。該器件表現(xiàn)出色，具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載3A連續(xù)電流，并搭載超低導(dǎo)通電阻72mΩ，確保了卓越的能源效率和低發(fā)熱表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電路等多元場景，以卓越的性能指標(biāo)與高度可靠性，賦予您的電子產(chǎn)品更強的性能潛力。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTR5198NL_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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