Si2347DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2347DS-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOS管，采用經濟實用的SOT-23封裝，適用于各類精密電子設計。該器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩定輸出6A的漏極電流(ID)，并以28mΩ的低導通電阻(RD(on))實現高效能與低功耗。廣泛應用于電源切換、負載驅動、電池保護等領域，是您優化電路設計，提升系統性能的理想半導體器件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2347DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/28.0mR 標價：歡迎咨詢