Si2312BDS-T1-E3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/23.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2312BDS-T1-E3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高效能、低功耗電路設(shè)計(jì)。該器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載3A的漏極電流(ID)，并具備出色的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了良好的能源轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)等場(chǎng)景，是構(gòu)建小型化、節(jié)能型電子設(shè)備的優(yōu)秀半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Si2312BDS-T1-E3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/23.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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