SQ2310ES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SQ2310ES-T1_GE3 是一款高效N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗電子設(shè)計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定處理6A的連續(xù)漏極電流(ID)，搭配其出色的22mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉(zhuǎn)換效率和低功耗性能。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、電池保護系統(tǒng)等領(lǐng)域，是實現(xiàn)小型化、高性能電子解決方案的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQ2310ES-T1_GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢