Si2302DS_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2302DS 是一款高效N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高能效和低功耗電子應用設計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定承載2.3A的連續漏極電流(ID)，其48mΩ的導通電阻(RD(on))確保了在低功耗下仍具有出色的電能轉換效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池保護系統等領域，是構建小型化、節能型電子解決方案的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2302DS_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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