Si2338DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

Si2338DS-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合于高密度電路設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，具備強大的電流承載能力，可持續處理5.8A漏極電流(ID)，且在導通狀態下具有極低的22mR導通電阻(RD(on))，有效提升了功率轉換效率。此款MOS管廣泛應用于開關電源、電機驅動、以及其他高功率電子設備中，助力實現高效能、低損耗的系統方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2338DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢