SQ2309ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/2.0A 參數4：RDON/160.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SQ2309ES-T1_GE3 是一款P溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，適應高密度電路板布局。器件提供60V的漏源耐壓(VDSS)，并能在低導通電阻160mR(RD(on))下穩定傳輸2A漏極電流(ID)。適用于電池保護、負載開關、電源管理等領域，此款MOS管以其出色的電壓承受能力和高效的電流控制性能，為您的電路設計帶來更高的靈活性與可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQ2309ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/2.0A 參數4：RDON/160.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/2.0A 參數4：RDON/160.0mR 標價：歡迎咨詢