ZXMP6A13F_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ZXMP6A13F 是一款P溝道MOSFET，采用SOT-23小型封裝，適用于各類空間有限的電子設(shè)計(jì)。器件具有60V的漏源電壓(VDSS)，允許在160mR(RD(on))的導(dǎo)通電阻下，安全通過2A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于電源切換、負(fù)載驅(qū)動、電池保護(hù)等領(lǐng)域，憑借其出色的高壓耐受能力和低導(dǎo)通阻抗性能，這款MOS管是您優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提升系統(tǒng)效能的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ZXMP6A13F_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢