IRLML6302PBF_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這款I(lǐng)RLML6302PBF MOS管采用先進(jìn)的P溝道技術(shù)，封裝為小巧耐用的SOT-23形式。其擁有卓越的電氣性能，工作電壓高達(dá)20V，連續(xù)電流可達(dá)2.3A，低至95mΩ的導(dǎo)通電阻確保了高效的能源轉(zhuǎn)換與傳輸。適用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景，是您設(shè)計(jì)電路的理想選擇，兼具高性能與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRLML6302PBF_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢