SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/42.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SQ2362ES-T1_GE3 是一款N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊型和便攜式電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件可在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，提供穩(wěn)定的5A漏極電流(ID)，特別適用于對(duì)空間和功率有一定要求的應(yīng)用場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻僅為42mΩ，有助于提升系統(tǒng)能效并降低能耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)等小型電路中，是高集成度和高性能電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/42.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/42.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢