FDV301N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/0.1A 參數(shù)4：RDON/1200.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

FDV301N N溝道MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專(zhuān)為精細(xì)化電子設(shè)計(jì)打造。在30V的額定電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，提供精確到0.1A的電流控制能力，具備1200mR導(dǎo)通電阻，尤其適用于低功耗、小電流應(yīng)用環(huán)境。廣泛應(yīng)用于電源管理、信號(hào)切換、保護(hù)電路等領(lǐng)域，是您追求高效、節(jié)能電路解決方案的理想元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDV301N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/0.1A 參數(shù)4：RDON/1200.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/0.1A 參數(shù)4：RDON/1200.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)