NTR1P02L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTR1P02L MOS管，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電路設(shè)計(jì)。這款P溝道MOS管擁有20V的最大漏源電壓(VDSS)，在保證穩(wěn)定性的前提下，可提供高達(dá)2.3A的連續(xù)drain電流(ID)。其出色的導(dǎo)通電阻僅為120mΩ，有效降低功耗并提升系統(tǒng)工作效率，是您電子設(shè)備電源管理、開關(guān)控制的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTR1P02L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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