SI2301CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI2301CDS-T1-GE3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝技術，專為低功耗及高集成度設計。其關鍵特性包括工作電壓VDSS高達20V，可承載2.3A連續(xù)漏極電流，提供出色的電力管理能力。導通電阻RD(on)僅為95mR，有效減少能源消耗，提升系統(tǒng)能效。SI2301CDS-T1-GE3 MOS管憑借卓越的開關性能、小巧封裝尺寸及高穩(wěn)定性，廣泛應用于電源開關控制、電池保護、便攜式電子設備等多元化場景，是您優(yōu)化電路設計的理想半導體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI2301CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標價：歡迎咨詢