DMN67D8L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN67D8L 是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，適合高密度電路板設(shè)計。該器件提供60V的電壓耐受能力（VDSS），并可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有優(yōu)異的導(dǎo)電效率，導(dǎo)通電阻低至1000mR，有助于減少能量損耗并優(yōu)化系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電子負(fù)載控制以及其他要求嚴(yán)苛的開關(guān)電路中，是您優(yōu)化電路設(shè)計的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN67D8L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢