2N7002K-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合于緊湊型電子設(shè)計。它能在60V的電壓下穩(wěn)定工作（VDSS），并支持0.3A的最大連續(xù)漏極電流（ID）。關(guān)鍵優(yōu)勢在于其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為1000mR，有效減少能量損耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及低電壓、小電流的邏輯電平轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，是工程師們的理想組件之一。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2N7002K-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢