TN2106K_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

TN2106K 是一款N溝道MOS管，采用小型SOT-23封裝，特別適應(yīng)于空間有限的電路設(shè)計(jì)需求。器件具有60V的高電壓耐受力(VDSS)，并能穩(wěn)定處理0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化，導(dǎo)通電阻低至1000mR，顯著降低功耗，提高工作效率。TN2106K 廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制以及其它高效能、低損耗的電子系統(tǒng)中，是您優(yōu)化電路性能的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

TN2106K_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢