Si2302CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2302CDS-T1-GE3 型號MOS管采用微型SOT-23封裝，內置先進N溝道技術，專為優化電路效率而生。該器件工作在20V的漏源電壓(VDSS)下，可承載最大2.3A的連續漏極電流(ID)，適合于中小功率應用場合。尤為突出的是其48mR的低導通電阻(RD(on))，有效減少功率損耗，提升系統效能。廣泛應用于電源轉換、負載開關控制及低壓電子設備的開關電路中，是您提升產品性能與節能效果的理想半導體元件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2302CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢