Si2343DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2343DS-T1-E3 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效能和低功耗電路設計。該器件支持高達30V的漏源電壓(VDSS)，能承載最大4.1A的連續漏極電流(ID)，且具備48mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了卓越的能效和可靠性。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等領域，是構建緊湊、節能型電子設備的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2343DS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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