Si2343DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2343DS-T1-GE3 是一款高品質P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高集成度和節能電子應用設計。該器件具備30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠穩定承載4.1A的漏極電流(ID)，并具有48mΩ的導通電阻(RD(on))，確保了出色的電能轉換效率和低功耗表現。廣泛應用于電源管理、負載開關、電池保護等場景，是實現小型化、高性能電子解決方案的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2343DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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