Si2316BDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2316BDS-T1-GE3 是一款高效能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代微小化電子設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載4A連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大的電流處理能力。導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，有效減少功耗，提升系統(tǒng)能效比。這款MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，以卓越的性能與穩(wěn)定性成為高集成度、低功耗解決方案的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

Si2316BDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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