PMV45EN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

PMV45EN2R 是一款高性能N溝道MOS管，選用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合對空間利用有嚴格要求的電路設計。其核心技術指標包括最高30V的漏源極擊穿電壓(VDSS)，以及4A的連續(xù)漏極電流(ID)，彰顯出強大的電流處理性能。更值得關注的是，該器件具有優(yōu)越的導通電阻(RD(on))僅為29mΩ，旨在最大程度地減少功率損耗，提高系統(tǒng)效能。這款MOS管廣泛應用于電源轉換器、充電器、電機驅動等需高效能、低阻抗元件的電子產(chǎn)品中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PMV45EN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢