DMN3110S_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN3110S 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為節(jié)約空間的電路設(shè)計打造。器件特征包括30V的最大漏源電壓(VDSS)及4A連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流處理能力。其29mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))設(shè)計，有效降低系統(tǒng)損耗，實現(xiàn)更高的能效比。DMN3110S 廣泛應(yīng)用在電源管理、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等領(lǐng)域，是緊湊、高效半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN3110S_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢