NTR4503N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTR4503N 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和空間敏感的設(shè)計(jì)方案量身定制。該器件支持高達(dá)30V的漏源極電壓(VDSS)，并能承載4A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)卓越的電流處理性能。尤其引人注目的是，其29mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，使得系統(tǒng)能耗更低，效率更高。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多種場(chǎng)合，是追求效能與節(jié)能的最佳半導(dǎo)體組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTR4503N_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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