BSH108_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

BSH108 是一款N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，專為現(xiàn)代高密度電子設(shè)計提供靈活解決方案。其關(guān)鍵性能參數(shù)包括最大工作電壓VDSS高達30V，支持4A的連續(xù)漏極電流，確保強大驅(qū)動力；導通電阻RD(on)低至29mΩ，實現(xiàn)高效能與低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是您追求高性能與節(jié)能效果的理想MOS管器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSH108_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢