FDS6670A_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDS6670A 是一款高性能N溝道MOSFET，采用SOP-8封裝形式，專為高效率、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件擁有30V的最大漏源電壓VDSS，可承載高達(dá)18A的連續(xù)漏極電流ID，確保在高功率系統(tǒng)中保持穩(wěn)定性能。其獨(dú)特之處在于其超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效降低功率損耗，提升整體能效。FDS6670A MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及其它高電流場合，以卓越的電氣性能為您的設(shè)計(jì)帶來更高水準(zhǔn)的可靠性與效率。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDS6670A_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢