IRF7458PBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRF7458PBF 是一款高效的N溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，特別適合于空間受限的設(shè)計(jì)方案。該器件具備30V的最大漏源電壓（VDSS），能承載高達(dá)18A的連續(xù)電流，表現(xiàn)出強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力。其卓越之處在于僅5.5mR的超低導(dǎo)通電阻（RD(on)），有效降低功耗，大幅提升系統(tǒng)效率，是適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用場合的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

IRF7458PBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢