SI4168DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/18.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

SI4168DY-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高密度電子設計打造。該器件支持30V的最大漏源電壓（VDSS），可處理高達18A的連續電流，展現了卓越的電流承載能力。其獨特亮點是擁有低至5.5mR的導通電阻（RD(on)），助力系統提升能效，降低功耗，廣泛適用于電源轉換、電機驅動和其他需高效能、低阻抗半導體組件的領域。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4168DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/18.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/18.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢