ZXMN6A25DN8TA_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ZXMN6A25DN8TA 的NN溝道MOS管，采用SOP-8封裝方式，專為高功率密度和高效能電路設計。該器件具備優(yōu)越的電氣性能，最大工作電壓VDSS高達60V，連續(xù)電流ID高達6.5A，適用于高電壓大電流應用場景。其導通電阻RD(on)僅為32mR，確保在大電流傳輸時最大限度降低功率損耗，提升整體系統(tǒng)效率。廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動控制、電池管理系統(tǒng)等眾多領域，是工程師設計高性能、節(jié)能電子設備的優(yōu)選MOS管組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ZXMN6A25DN8TA_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標價：歡迎咨詢