IRF7103PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

型號(hào)IRF7103PBF 的MOS管，封裝精巧SOP-8，專為高效能電路設(shè)計(jì)。該器件采用領(lǐng)先的NN溝道技術(shù)，可在60V的最大漏源電壓下穩(wěn)定工作，提供強(qiáng)大的6.5A連續(xù)電流。其卓越特性在于僅32mR的超低導(dǎo)通電阻，顯著提升能源效率，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高頻率開關(guān)等領(lǐng)域，是工程師打造高性能、節(jié)能方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

IRF7103PBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/6.5A 參數(shù)4：RDON/32.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢