SI4174DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI4174DY-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOS管，采用小型化SOP-8封裝設計，專為現代精密電子設備量身打造。該器件具備30V的最大漏源極耐壓(VDSS)，并能在高效率下穩定承載15A的連續漏極電流(ID)，表現出色。尤為突出的是其低至7.5mΩ的導通電阻(RD(on))，在運行過程中可大幅減少能量損耗，提升整體能效。這款MOS管憑借其卓越的電氣性能和可靠性，成為眾多電源管理、電機驅動等應用領域的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI4174DY-T1-GE3_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢