FDS6679AZ_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDS6679AZ 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOP-8封裝，專為高電流應(yīng)用和高效能設(shè)計。該器件支持高達30V的漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定處理18A的連續(xù)漏極電流，呈現(xiàn)強大的電力管理能力。其獨特之處在于僅7.5mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流工況下仍能維持高效能與低熱損。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、開關(guān)電路控制等領(lǐng)域，是您實現(xiàn)高能效半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDS6679AZ_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢