IRF9388PBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRF9388PBF 是一款高性能P溝道MOSFET，采用SOP-8封裝，專為高電流、低損耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，可輕松應(yīng)對18A的連續(xù)漏極電流，彰顯其卓越的電力處理性能。其突出優(yōu)勢在于7.5mΩ的超低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流工作狀態(tài)下仍保持高效能和低損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源控制等領(lǐng)域，是追求高效、節(jié)能解決方案的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRF9388PBF_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/18.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢