FDS6675_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDS6675 P溝道MOSFET采用緊湊型SOP-8封裝，具備優(yōu)良的電流處理能力。器件特點(diǎn)是30V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠穩(wěn)定傳輸高達(dá)12A的連續(xù)電流，且導(dǎo)通電阻低至10mΩ，有助于增強(qiáng)系統(tǒng)效率，降低能耗。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、負(fù)載開關(guān)等高電流應(yīng)用場(chǎng)景中，以其出色的性能和高可靠性，成為優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDS6675_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢