FDS6675BZ_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

FDS6675BZ P溝道MOSFET采用SOP-8封裝工藝，專為高效能、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能持續(xù)承載高達(dá)12A的大電流，其突出優(yōu)勢(shì)在于僅有10mΩ的導(dǎo)通電阻，確保在高功率狀態(tài)下也能展現(xiàn)出卓越的能效表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域，以強(qiáng)大的電流處理能力和絕佳的電氣性能，為您的電路設(shè)計(jì)提供強(qiáng)有力的支持。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FDS6675BZ_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/12.0A 參數(shù)4：RDON/10.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢